主题：【原创】谈谈中国的集成电路产业——历史变迁和产业概述 -- cmosplay

先说说硅工艺，最早出现的是双极型工艺，上世纪六十年代开始逐步走向市场，取代分立元件。这种工艺主要是在衬底上制作NPN和PNP晶体管，组成电路，工作速度快，但是功耗比较高，不便于大规模集成，但是适合制作高性能模拟电路。

后来多晶硅栅CMOS工艺开始成熟。1970年以前，流行的MOS工艺是铝栅PMOS工艺，1970年出现了自对准的硅栅工艺，意味着电路的集成度有条件大大增加。1972年以后，NMOS工艺走向实用。再后来，就在NMOS工艺和PMOS工艺的基础上发展出互补的CMOS工艺，多晶硅栅CMOS工艺理论上没有静态电流，功耗很小，集成度又可以做得很高，所以可以实现低价格，高性能的数字电路，迅速成为市场上的主流工艺。

上世纪八十年代，为适应把高性能模拟电路和数字电路集成在一起的需求，把双极型工艺和CMOS工艺的优点结合起来，制造商发展出了BiCMOS工艺。

解释一下工艺尺寸问题，市场上所说的n纳米工艺中的n纳米一般是指MOS管的栅长，缩短栅长并降低电源电压可以获得增加电路密度，降低功耗，提高电路工作速度等好处，所以几十年来集成电路产业一直在摩尔定律的指引下缩短栅长，提高电路的集成度。

除了硅工艺，砷化镓工艺在市场上也很流行。和硅工艺相比，砷化镓工艺有着独特的优势，特别是在几十GHz-几百GHz的超高速电路领域性能优越。

此外，在光纤通信领域，还使用大量磷化铟工艺制造的集成电路。

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