主题：北纬的瞎侃 -- 北纬42度

最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV，我国想买，但是美国正拦着不让卖。这东西基本上造是7nm以下芯片的必备品。没有的话中芯国际想要突破到7nm以下就很困难了。

中芯国际依靠现有设备造7nm的芯片还是可以的，据说台积电当初就是不用EUV造的7nm芯片。方法是靠多重曝光来刻线。同样的方法搞5nm也行，但是无疑成本会大幅增加。所以美国对我国芯片方面的封锁最终还是要靠打台湾来解决。

国产光刻机方面，上海微电子能造90nm的，在国内卖得很好。他们正在测试65/45nm级别的，估计几年后才能上市。这一系列光刻机靠的都是193nm的激光光源。EUV则是13.5nm极紫外光源， 所以距离还很遥远。二十年都不一定够。不过三四年后打下台湾，我们就控制了大部分芯片产能。荷兰人也会看到美国拿我们没办法。转变态度和我们交易也说不定。

另一个解决办法是中科院研制的新原理光刻机。这套光刻机的好处是用普通光源（不是激光）造出了22nm级别刻线的光刻机，换光源的话还能刻到10nm。EUV的极紫外激光光源几千万一套，还得真空环境使用。但是一个汞灯只要几万元。中科院用360+nm的光源实现了22nm的刻线，那170nm的光源（现实存在）就可以直接做到10nm的刻线。多重曝光的话没准就能实现1nm的芯片制造了。这意味着超低的成本。今后大概十年后会解决机械、控制方面的问题，届时10nm以上制程的芯片彻底白菜化。但是7nm以下就不知道了。报道没说这种光刻机能不能做到更高制程，也没说能不能靠多重曝光做7nm以下的芯片，也没说能不能换成更短波长的光源。如果能的话那就是神话一般的突破了。

此外，国产的EUV和极紫外激光光源（13.5nm）停留在原理研究的阶段。估计十年后出实验样机算是快的。商品化大概就真得20年后了。