主题：【号外+部分修正】IBM builds super-fast transistor -- 闲看蚂蚁上树

SiGe HBT多一些,但是SiGe的技术并没有局限在此. transistor的世界,说到底其实是类MOS器件的世界.比如正在研究的SOI. 人们追求的是媲美MOS器件的低成本制造,但是又要有三极管的性能这么样的一个器件. SOI是往这个方向前进的一步. SOI如果成功,HBT的世界就有大变化.从另一个方向逼近这个目标就是MOS里面用SiGe.这些都在研究.所以说SiGe技术正是方兴未艾之时, 只要大家还用Si, SiGe 就是一个标准技术.

决定一个半导体技术是否发展的一个重要因素,大概也是决定性的因素就是成本.GaN,GaAs 不容易和基带电路集成在一起,成本上升.本身制造工艺上,成本也高,所以注定了这两种器件最后的归宿只有在一些有特殊需求的领域,比如特大功率的功放管.

这次在georgia tech测试的管子是IBM的第四代SiGe HBT.好像是在2003年就有报告了(IEDM). 现在都快三年了. IBM 改进了不少.这次测试的是一个新版本,计划只是把管子放到液氦温度去看看. 按理论, peak ft是肯定会增加的,没想到是一下子就到了500GHz.我估计两年之内应该可以商用化了(第三代的HBT大概也只用了三到四年就商用化了).