主题：【原创】大话磁性随机存储器(MRAM) -- spinfox
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印象中最早发现MTJ是一个在MIT的印度人。后来Parkin做了一堆的工作，那时老听说这个阿三老抱怨parkin做得太快。现在MTJ中用的MgO是后来的事了，以前都是用氧化铝。MgO是首先理论计算得出TMR会非常高，然后才被用到实验。首先计算得出MgO的氧化层有更好的效果的这个家伙现在好像在University of Alabama。
需要说明的是，用在MRAM上的多层膜结构是磁性隧道结(MTJ)。这一步走的最早是HONEYWELL的CTO，J DOGHTON。他后来从HONEYWELL退休，出来自己成立了一个公司 NVE (NON-VOLATILE ELECTRONICS)。
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🙂【原创】大话磁性随机存储器(MRAM) 33
spinfox 字3433 2005-12-22 18:51:58🙂MTJ的最早工作应该是一个印度人
🙂花 众生相 字55 2007-10-24 06:38:48
🙂顶上来 老瑞 字187 2007-10-14 20:05:34
😄好东东, 似乎还有后续啊? 四月一日 字58 2005-12-27 10:20:38
真是天嫉英才呀 prohouse 字0 2005-12-24 23:13:39
专业技术人员就是不一样。真长见识。 春水含羞 字0 2005-12-24 21:20:55
长知识了，花！ 大卫 字0 2005-12-23 07:47:06