主题：同学们，“半导体存储器导论课”第二课开始点名，分组讨论了， -- 老瑞

老师好，我来凑数。

说到半导体存储器，就会想到了单晶硅，那儿有位说硅就是半导体。准确地说，纯的晶体硅具有金刚石结构有稳定的共价键，是电阻率高到104 欧姆厘米的真性半导体。实际用的半导体是掺杂的单晶硅。而生产DRAM, LSI集成电路用的就是常说的8吋，10吋12吋的单晶硅wafer (薄片)。

那什么是存储器呢？ 以前常说的是电脑的RAM（Random Access Memory），这几年新电子产品MP3, PDA, 数码相机里用的是闪存（Flash memory）。还有那新开发的FRAM,MRAM,PRAM。

这些有什么不同呢？

从数据的保持性来划分，电脑的RAM(DRAM; Dynamic Random Access Memory,　SRAM; Static Random Access Memory)是一种停电后数据会消失的挥发性 (volatile) 存储器，而磁盘，光盘，MO，到现在的闪存都是不挥发性的(non-volatile) 存储器。他们的共同点都是用他们各自的某个性能的变化来表示出数据的0和1。

DRAM是什么原理呢？那远的要从DRAM集成电路的构造说起，在前面说到的硅wafer上要形成纵横的很小的格子，这就是DRAM的一个cell, 一个cell包括一个三极管（NMOS transistor）和一个用来作为存储的与MOS的drain相连接的电容。而很多排列的cell就靠横向的word line和纵向的bit line 来连通和控制。 他的存储原理是写入1时，给与MOS的gate相连接的横向的word line加电压来导通Source和drain,这时给与source相连的纵向的bit line加电压，导通后的三极管就给电容充电。这就是说靠电容的充放电来写入1和0，读出时，靠gate加电压后导通的MOS来读电容放电的有无。

从原理来看，只要一段时间后，漏电将使得电容保存的电荷下降，到一定时间就得重新写入，这就是动态（dynamic）存储器的名字的来历。