主题：【原创】半导体基础知识 -- 南越

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1 漫说半导体

自然界的物体如果按其物理特性中的导电性来划分，就有了导电性好的金属一类的导体和不易导电的橡胶等有机化合物的绝缘体，再有的就是介于这二者之间的叫半导体的东西。那位MM说了，半导体吗就是什么二极管，三极管的，是吗？真的要感叹一下了，时光如梭啊，请看这个比现如今小学生的手工都不如的，那在我们伟大的领袖老人家宣布我们中国人站起来之前，在美国贝尔研究所出世的点接触型的Ge鍺三极管（1947年）。

1949年，还是这后来拿炸药奖的William Bradford Shockley几人发明了结合型鍺三极管，1952年开始批量生产，1956年Si硅三极管登场。而1957年场效应管就出现了，更快的是1960年就开始卖硅三极管的电视机啦。想不到的是在1958年Texas Instruments的一个专利（Kilby’s patent） 就是集成电路IC基本技术的开始。从此，IC就是半导体业研究发展的代表随家用电器的推广而越来越火哪。

今天的集成电路都离不开1962年出现的Si MOS IC, MOS (metal –oxide- semiconductor)就是后面我们要说的金属-氧化物-半导体三层构造的场效应三极管，这个东西构造简单，生产工序少，很快到1968年，1个三极管型的MOS-DRAM(只读存贮器)就出来了；而现在的大牛Intel 接着就开发出了1k bit的DRAM(dynamic random access memory), 今天我们拥有的数码相机那里面的感光CCD元件（也是IC）的鼻祖在1970年出生于贝尔研究所。从此，计算机的主存贮器就从磁带转向了DRAM，打开了Si半导体存贮器发展的大门，1976年为64k bit 到82年1Mbit 的存贮器；同时中央处理器（CPU）在1971年为4bit, 1975年8bit, 1981年为16bit,

那个什么有名的摩尔定律就说了，IC chip 的微细化和高集成度将按3年4倍的速度发展，据有心人计算，到今天的闪存，还确实是这个规律。

嘿，有哥们您不信的话，放狗搜艘，再算算。

说到鍺还有后来闪亮登场的硅半导体，我们该翻高中学的化学书啦，那元素周期表背的滚瓜烂熟的就举手了，C, Si，Ge, Sn, Pb是第4族元素，书上说的这族元素负电性比较强，其中最强的是碳，那形成的金刚石就是你我各自的LD想要的花钱不老少的钻石, 不开玩笑的告诉您，书上再有的说具有最强的共价键的金刚石是典型的绝缘体这句就错了，金刚石也能是半导体。我们要说的硅是这族中的老二。

硅是我们这星球上拥有的第二多的元素，猜猜那第一是？

接着是我们该看看这族元素的电子结构的时候哪。。。。。。