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中科院物理研究所：碳化硅（SiC）晶体产化项目

分类:移动互联.技术转化与创业

碳化硅（SiC）是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓（GaAs）后发展起来的第三代半导体材料。由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度等特点，使得它军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值，并逐步取代现有的硅和砷化镓基光电器件。

　　市场分析：由于SiC晶体生长难度大，造成SiC晶体生长产业化进展缓慢。经过数十年的研究和发展，在全球范围至今只少数的研究机构和几个半导体公司掌握这项技术。国内目前尚无公司可进行生产，国外主要是美国的Cree公司，该公司2001年的SiC及相关产品的销售已达1.8亿美元，利润达4800万美元。1997-2001的5年中Cree公司的销售以年均58%的速度高速增长。碳化硅晶体作各种电子元器件的基片，目前国际市场上直径为2英寸（半径25mm×0.3mm）的SiC晶体基片价格为500-800美元/片。据估计，到2005年国际上仅SiC半导体市场的营业额将达到2亿5千万美元。而到2009年，由于SiC和GaN半导体器件，高亮度的紫外蓝光的LED和LD，以及固体照明的需求，宽带半导体（SiC， GaN）的市场额将增至48亿美元。此外，SiC将在大功率器件如电网调节和高频器件如通讯系统和高清晰度电视系统有着不可估量的市场前景。

　　中科院物理研究所从2000年以来投入大量人力和物力进行了SiC晶体关键生长技术的研发，凭借物理所多年在晶体生长的经验和实力雄厚的科研力量，目前已跻身于全球几个有能力生长2英寸SiC半导体晶体的单位之一，同时物理所已设计和制造出具有自主知识产权的SiC晶体生长炉，为规模化生产奠定了基础，并具有明显的价格优势。该项目已具备了进行产业化的条件。

天富热电：中国的“CREE”

碳化硅晶片属于宽带隙半导体材料，是第三代半导体材料，是未来可以替代硅作芯片的材料，将会引起电子行业革命性的变革。目前的主要用途是LED固体照明和应用于高频大功率的无线通讯。手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅巨大的需求增长。

　　而由于一些特殊方面的应用，国外碳化硅生产企业对中国进行禁运，而碳化硅晶体巨大的技术壁垒又导致中国国内到目前为止仍没有企业能够生产，因此，国内市场严重供不应求。

　　天富热电全资子公司——上海汇合达投资管理有限公司（控股51%）与中科院物理所，新加坡G3 Blue Technology Pte Ltd.公司成立了“北京天科合达蓝光半导体有限公司（TankeBlue）”，有机地结合入股三方分别在资金、碳化硅晶体生长技术，X射线衍射技术，现代企业管理和国际市场营销的优势，形成市场竞争力优势。实现规模化生产，进而成为全球主要的供应商。未来公司产品在成本上具有非常大的优势（公司产品的成本约为100美元，而主要竞争对手的成本约为300美元），将给公司产品在国际市场的开拓上占有先机。

　　公司的碳化硅项目已于2006年9月动工，标志着产业化的开始。我们预计2007年3月完成设备安装，2007年6月开始量产。

　　天科合达公司将依靠碳化硅晶体为制高点，继续通过自主创新，走美国Cree公司的发展之路，延伸碳化硅产业链，把碳化硅行业在中国国内做强作大。

　　公司06、07、08和09年每股收益为0.126、0.421、0.863和1.258元。