主题：【原创】中微半导体45纳米蚀刻机 -- 可梦之

因为蚀刻的时候其实是对整个chip进行处理，只是有些地方有保护，有些没有保护。

但是随着特征尺寸的提高，原来的蚀刻机肯定不符合新流程的要求。这里中微可能是想说他们的可以用在45纳米的制程上。

不是绝对垂直是一个原因，另外一个原因是高速粒子撞击之后难免会侵蚀周围区域。就好像嫦娥什么角度撞机月球，都不太可能撞出一个整齐的深洞出来。现在特征尺寸这么小，很容易蚀刻控制不好被击穿。但是这也不完全是坏处，intel曾经通过控制蚀刻的横向侵蚀，将transister的实际宽度降到特征尺寸的一般左右，从而提高性能。这也体现了制造厂的重要性。AMD和TSMC不太可能这么搞的。