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主题:【原创】T-50为什么不采用S形进气道? -- 晨枫

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家园 关于高损阻抗匹配材料

这个问题比较专业,没兴趣的略过。

电磁波在两种材料界面上的反射决定于二者的阻抗。以正入射为例,反射系数为(eta1-eta2)/(eta1+eta2)。eta即为阻抗,eta=sqrt(mu/eps),mu为磁通常数,eps为介电常数。电磁波进入介质后的传播可以exp(i*k*x)描述,其中i为虚数单位,k为波数,k=sqrt(mu*eps)。

所以,有可能设计一种材料,使得它的eps和mu都是复数(有非零的虚部),但其阻抗(决定于二者的比)仍然等于空气的阻抗(纯实数)。这样在二者的界面上便不会有反射。但电磁波进入介质后的传播决定于k,而k=sqrt(mu*eps)是一个复数(有非零虚部),也就是说其传播将指数衰减。这种机理不依赖于半波对消。

实际情况往往是数种机理的综合,并且往往需要多层材料达到所需的吸收带宽和角度。各层材料的参数和厚度选取是一个很大的优化问题。这个题目直到现在在很多微波和天线的会议上仍有大量报告。不过据说最好的结果都在那些军工实验室或公司。也难怪,这个问题到最后其实就是大量的实验和经验积累。

这么简单几句话不严谨处在所难免,大家看看就算吧。另外我的专业词汇大多是出国后学的,对应的中文词汇不是很熟悉。错了勿怪。

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