主题：中芯国际 联合首席执行官梁孟松 可能辞任 -- 寂灭
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功率等于电压乘电流，我查了一下，7nm和5nm的core电压都是0.7V，那么降功耗肯定是在电流上，静态的漏电流和动态电流都小了，这个应该是改了管子的结构，然后以更加复杂的工艺为代价的。所以每一次更新制程，同样的电路功耗大概只降低百分之十到三十吧。
另外变小的不是PN结，而是mos的栅长。现在的所谓多少nm工艺都是以栅长为指标的。
通宝推：方平,甘丹,宏寺,
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🙂我是纯外行 2 南宫长万 字298 2020-12-16 06:29:56
🙂系统封装sip 13 赵美成 字802 2020-12-16 10:33:05
🙂请教：理论上7,5,3μ功耗降低比例多少？ 审度 字89 2020-12-16 10:47:55
🙂更小的工艺的电压更小，所以功耗低，但不是线性下降
🙂集成电路现在都是MOS构造，哪里来PN结啊。 粗茶淡饭 字485 2020-12-18 07:03:31
🙂肯定有pn结 3 赵美成 字339 2020-12-18 08:38:00
🙂有P有N不假，问题是没有PN结，不然就不叫做场效应管。 粗茶淡饭 字801 2020-12-18 18:40:07
🙂有p和n接触，就有pn结 2 赵美成 字179 2020-12-19 01:46:59