五千年(敝帚自珍)

主题:【原创】普京的台阶在哪里? -- 本嘉明

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家园 duv有物理上理论极限, -- 有补充

nxt2100i 极限能做16nm理论上的pitch,smo 0.9 nm le3 能做到27nm,三星是做

le4到44nm

tsmc 5nm fin pitch是28nm,

1980di sadp极限是37nm,tsmc n7 m0是40勉强够做,但是fin 是30,poly是37

用1980di做不了fin的,可以做m0 以上的金属层

八妹厂 2050i 4台, 2000i是5台,做fin sadp或者le3 是能做的

松山湖2台1980di做做m5以上金属层是没啥问题

作者 对本帖的 补充(1)
家园 tsmc 做n3b 是euv+dsa -- 补充帖

euv+dsa 除了不能做bridge 其他cut,

Grating patterns with 18/21 nm pitch can be fabricated with two process flows

1)EUV printed 36/42 nm pitch + SADP

2)DSA rectified 36/42 nm pitch + SADP

euv做segment length能到8nm

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