主题：mate70已出，国产芯片稳定在7nm，euv大山必须翻过去 -- 亮子

作者：王小石

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2019年底第一代FinFET (14nm) 风险量产

2020年4月荣耀Play4T手机上市，搭载麒麟710A芯片使用中芯国际14nm FinFET 工艺在 SN1 fab生产。

2020年10月芯动科技于（2020年）10月11日宣布，已完成全球首个基于中芯国际FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次性测试通过。

2021年一季度第二代FinFET (N+1) 风险量产关于N+1工艺，中芯国际联合CEO梁孟松

2020年初曾透露，该工艺在功率和稳定性方面和7nm工艺非常相似，且不需要EUV光刻机，但在性能方面提升还不够，所以N+1工艺是面向低功耗应用领域的。据悉，该工艺和14nm相比，性能提升20%，功耗降低57%；但是，与更先进的7nm所能提升的35%性能相比，还有进步空间。中芯国际发言人说：”我们对N + 1的目标是低成本应用，与7纳米相比，它可以将成本降低约10％。因此，这是一个非常特殊的应用。

2021年7月为MinerVa生产比特币矿机芯片 SMIC Mass Produces 14nm Nodes, Advances To 5nm, 7nmSMIC has been producing MinerVa Semiconductor's Bitcoin mining chip since July 2021 without disclosing it.

2022年8月TechInsights 分析了SMIC生产的比特币矿机芯片（MinerVa7 Bitcoin ASIC），认为SMIC已经拥有了7nm工艺。虽然有些指标和台积电10nm工艺接近，但是最重要的指标——晶体管密度达到8900万/平方毫米，非常接近台积电和三星的第一代7nm工艺。注：这里SMIC的工艺很大可能还是N+1工艺。晶体管密度略低于台积电第一代7nm的主要原因可能是工艺上有几个问题还没有完全解决。

2023年展望SMIC有能力在2023年实现第二代7nm/6nm，也就是N+2工艺。中芯国际此前已经表态下两代工艺N+1（7nm LPE低功率）、N+2 (7nm LPP高性能)不会上EUV光刻机。5nm或更先进工艺在没有EUV光刻机的情况下是商业上不可行的。生产成本高昂，良率低。