主题：【原创】用Windows Vista能有快感吗？ -- Highway

这个是我写错了，应该是“容量目前还比较小，而价格暂时还比较高”！

厂方网站如下：

http://www.ramtron.net.cn

http://www.ramtron.net.cn/doc/press/faqs.asp

问： 和其它非易失性存储器制造技术相比,铁电存储器在性能方面有什么不同吗? (2006-2-10 17:00:00)

答： 铁电存储器在性能方面与EEPRON和Flash相比有三点优势之处: 首先,铁电存储器的读写速度更快。与其它存储器相比，铁电存储器的写入速度要快10万次以上。读的速度同样也很快，和写操作在速度上几乎没有太大的区别。其次，FRAM存储器可以无限次擦写，而EEPROM则只能进行100万次的擦写。最后，铁电存储器所需功耗远远低于其他非易失性存储器。

问： 和其它存储器相比铁电存储器有什么不同吗？ (2006-2-10 16:58:00)

答： 如果要回答这个问题的话，简单了解一下存储器技术的背景资料很有必要。存储器的生产技术可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器在断电后存储的数据会丢失，而非易失性存储器则不然。传统的易失性存储器包括SRAM （静态随机存储器）和DRAM(动态随机存储器）。他们都源自RAM技术-随机存取存储器技术。RAM的主要优点是容易使用且读写操作类似。但是传统RAM的主要缺点是其只能被用来做暂时性的存储。传统的非易性存储器技术均源自ROM技术，即只读存储器技术。经过各种技术的改进，工程师们创造出Flash和EEPROM存储器，这些改进的存储器开始能够进行写入操作了。但是这种基于ROM技术生产的存储器都有不易写入、写入需要特大功耗等缺点。所以传统的基于ROM技术制造的存储器是不适应需要多次写入操作的应用领域的。而铁电存储器(FRAM)则是第一个非易失性的RAM存储器。它结合了SRAM和DRAM易写入的特性，又具有Flash和EEPROM得非易失性的特点。