主题：同学们，“半导体存储器导论课”第二课开始点名，分组讨论了， -- 老瑞
家园 请求哪位大拿写一个数字万用表的初级教程 从零开始，比如怎么测电阻、电压、电容，怎么测三极管的极性。
我在网上找了很久，没有相关的说明书。
家园 最初级的俺可以写写，深一些的就要请大拿了 数字万用表第一个是要装上电池，没电池什么也量不了，不象指针式的量电流电压时不需要电池。
就拿我手边的Hammer DT9202为例。
这是三位半的，这个半是最高位只能显示0和1，数字显示最大1999，小数点另算。当显示“1 . ”就是只显示最高位的1，后面位无显示，小数点不一定，表示已经溢出，超过最大可测值。
黑表笔插在“COM”，红表笔根据测量对象，有三个插孔可选择，测电压、电阻和二极管时插在“ＶΩＸ”孔，（这个Ｘ应该是一个二极管标志，这里用Ｘ代替）；测小电流时插在“Ａ”孔，测大于200mA到20A的大电流时插在“20A”孔。（表笔的颜色只是惯例，反过来用不影响实际使用）
表面上有一个选却开关，分成几个大档：电阻（Ω）；直流电压（DCV）；三极管放大倍数（hFE）；交流电压（ACV）；电容（F）；直流电流（DCA），交流电流（ACA）；二极管（一个二极管标志）各档的数字表示测量范围小于此值，当到达此值时会显示“1 . ”表示已经溢出。比如说你放在DC20V档，最大可测到的数值为19.99V而不是20.00V。还有个发声标志，这块表在200Ω档上，有的表在二极管档上，在这档上测到的电阻较小时（大约几十Ω以下）会叫，可以较方便地测通断。
最低一位有一到两个数的绝对误差，测得1.256V时可能是1.254V，也可能是1.258V，所以测量时尽量选较小的档。相对误差不大，好象是小于百分之一，具体数值要查说明书，不过一般应用可以忽略。
测电阻比较简单，选择开关拨到电阻档并表笔（指表笔上的金属头）不接触时，应该显示溢出，表笔接触时显示0（所有显示时后面三位都显示：000）。拨在200Ω档表笔短路时最低一位可能显示一个很小的数，这可能有两个原因，一是自动调零有误差，二是表笔尖镀的铬有接触电阻。
两表笔尖分别接触电阻两端引线，显示出的就是电阻，同样要选却档位使得到的数值位数尽量多（这个原则在电流电压测量时也要）。要注意的是，测大阻值电阻时不要用手捏住两表笔尖或电阻两端，因为人体也有电阻，当人体电阻并联到大电阻时影响很大。测小阻值电阻（几到几十Ω）时表笔尽量压紧电阻引线，以减小串联在其中的接触电阻。
测电压、电流的原则一样，根据预测值的大小选却合适的档位。比如说测锌锰干电池的电压就拨在DC2V（当然DC20V也可以，精度差十倍）。如果根本无法预测数值，就先拨在最高档，测得大略值后再选档。当表笔悬空时电压电流都会显示0，测电压是并联测量，表笔金属尖接触电路中两点的导电处就可测得；测电流是串联测量，需要把所测处线路断开，表笔接触断开的两点上。
电压电流是向量，如果是指针表因为不能反转，测量时需要注意正负。数字表本身就可测负值，所以测量时可不管正负，接反了测得的是负值。
测电容时电容插在专用插口“Cx”上，单位是法拉。
测二极管时显示的实际上是内部电池在表笔上的电压分压值，红表笔（从“ＶΩＸ”孔引出）是正电压端，黑表笔（从“COM”端引出）是负电压端（与指针表相反），与测电阻一样操作，显示0.几（硅管为0.6左右，锗管为0.2左右）时，红表笔端为二极管正端，黑表笔为负端，反过来测应该是溢出。如果测到的不是这样就说明此二极管坏了。这是指普通二极管，高反压管堆（大于几千V）和发光二极管正向一般也是溢出。
三极管如果你能辨认出三个极（e、b、c）和管型（pnp、npn），对应插在三极管插孔中，开关拨到“hFE”档，显示的就是小电流放大倍数，因为这是简易测法，得到的值只能做为参考。
如果不能直接辨认三个极就比较复杂了先从万用表测三极管的外部特征说起。三极管可以认为是两只二极管相向串联，见图。要先找出基极和管型，按管型基极插在b孔中，另两个脚随意插在e、c孔中，然后另两个脚调换插入，得到的数值大的一次就是插对的。（三极管e、c极反用也可有较小的放大倍数。）
还有安全问题，测几十伏以上的电压时手不要接触到表笔的金属端，以免触电。万用表的安全也要注意，表面上有外各档可承受的最大值，另外千万不要用电流、电阻档去测较高的电压（十几伏以上）；我曾经误用电阻档测电压报废了一块表。
元宝推荐：请尽量,家园 改一下，给你个说明书 家园 多谢斑竹 送花
家园 谢谢大家的支持和鼓励 本想从半导体的基础写起，一想到半导体物理涉及到的固体物理和量子力学，写起来费力而看的人头大。。。
我将尝试用最简单的话来写一段给大家看看。
另外，现如今说的半导体多是指集成电路（IC, LSI)，当然，还有化合物半导体。
关键词(Tags): #半导体，家园 写作的过程也是自己重新学习的过程 我就是这样理解的，所以才敢在这里献丑，
因为我对这些知识很感兴趣。自己一个人看的话，很枯燥。关键是：有的问题还想不到，更谈不上贯通了。
这里发了帖子，有这么多的朋友可以督促我把这些东西，和大家一起重新学习一遍。得到了很多高手的指点。
您慢慢写好了，这里朋友来自各个领域，口味很杂的。
写得通俗，看的人可能更多。
您写的深，喝彩的也不会少。
最好是准备两个版本。像是上学时的甲种本，乙种本。
大家可以根据自己的情况各取所需，哈哈。
家园 俺也来敲个边鼓。 俺没系统学过，都是自己看书看来的，具体细节记不住了，写的也不知错不错。
而且都是老东西了，半导体存储器前传吧。
半导体存储器之前用的多的是磁环存储器，每个磁环是一位，需要人工穿线，我曾见过一块，象键盘的三分之二那么大，上面密密麻麻的全是小磁环和电线，大概也只有一两千个位吧。好象当年王安就是靠这个发财的，不过没几年就不行了。
在这之前不知道用什么，大概是用三极管焊吧，反正肯定不如磁环。
广义说来，一只只三极管焊的板子也应该算半导体存储器，不过现在一提到半导体存储器就只会想到集成电路，
最早的集成电路半导体存储器用的是单稳态电路，顾名思义这是不挥发性的，每个单稳态电路至少要有两只三极管，再加二极管、电阻，半导体集成电路中做二极管比三极管还麻烦一点，所以都是做成三极管再短路其中两极当二极管用，电阻也是用二极管代，因为在集成电路中做电阻更麻烦。（这是当时的技术，现在的不知道）再加上写入、读出电路，每个位就要有近十只三极管。那时的半导体存储器每片也就是几十到几百个字节，少的只有几个位。
后来每位用的管子越来越少（当然也不能用双稳态电路了），最后只用一只三极管或MOS管写入读出，存储用电容，再加上加工的精细，可以做出一片几百K的存储器，电容容量很小，储存的电子很容易跑掉，所以要不断的写入来保持所存储的内容，叫刷新。这刷新不是按位写入，只要在行线或列线上通一下电就行了，一下可以对许多位刷新，大概每一两毫秒就要刷新一次，这不需要软件，在硬件上就解决了。这种存储器叫挥发性的，这个名字起得很贴切。不挥发性的同个时代每片容量还是要低些。
上面说的是RAM，随机读写存储器，再就是ROM，只读存储器。
最早的半导体只读存储器是掩模式的，就是你先编好程序，交到半导体工厂，象做集成电路一样做出曝光胶片，再做成芯片。这个麻烦劲在现在是不可想象的，就跟做狗剩差不多。而且做好了就没法修改，其中有点小错大量的投资就挥发了。
为了摆脱工厂，有人就发明了熔断式ROM，里面每个位上有一个小熔断丝，也可能就是一只二极管，写入时用大电流烧断，当然烧断后就无法恢复，一次性写入无法修改。这叫EPROM，不用把程序送到工厂去了，写坏了也就一只芯片，保密性也大大增强。
但是写坏了就扔掉也不好啊，大大地不绿色。于是又有人发明了可擦除的ROM，叫EEPROM，大概写和擦英文字头是同一个字母吧？这种ROM里面（以下不知对不对）用什么（好象是硅？）氧化膜包上一小块，写入时用高电压冲破势垒（？）送进些电子，因为这种氧化膜绝缘很好，电子能保存很长时间（几十？几百？几千年？），数据也就能保存很长时间，是非挥发性的（废话，ROM还有挥发性的？）。擦除的时候要用紫外线照，把里面保存的电子晒干？这种存储器上面都有一个玻璃窗口，现在还可以见到应用。
紫外线晒还是不太方便，能不能在衣服穿在身上就弄干？也就是不用拔下来，在电路中就直接重写？这就引出了电擦除ROM，现在的flash（没写错吧）应该也是电擦除的。不过这部分及以后都是俺爱学习的劲头挥发以后出现的新事物，只能等大牛们了，等着上新课。
欢迎挑错。下课。
