五千年(敝帚自珍)

主题:【讨论】Intel宣布芯片制造技术重大突破 -- forsake

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            • 家园 请给出处

              xscale的东西俺也有过好几个,05年时做pda的几乎家家都用xscale,这叫完败?

              另外前面没说清楚,intel自己当时就是arm成员比现在的Samsung之类的只租许可证的还高级些,能对核心电路修改的,xscale就是arm v5的改进版,简单的说就是android和linux的关系。

              • 家园 到哪里去搞出处啊

                4-5年前在新闻看到的,只是记住了几个结论

                1.intel退出手机领域

                2.功耗远大于arm

                3.100亿打水漂

                下面是随便baidu到的,是在一个intel要重返手机领域的新闻里

                外链出处

                英特尔上一次涉足手机市场要追溯到2000年,虽然XScale芯片被广泛使用在摩托罗拉(www.motorola.com.cn)、黑莓 (BlackBerry)及Treo等WindowsMobile智能手机(如多普达)和PDA中,在2005年到2006年的一年时间里,由于德州仪器(www.ti.com.cn)、三星(www.samsung.com.cn)的低价抢单,这些手机厂家的采购量大幅降低。2006年,英特尔在耗费了 6年的时间和约50亿美元的资金投入后,最终放弃了手机芯片市场,将其XScale通信芯片业务全部出售给了Marvell。

    • 家园 这个可是了不起的进展

      传统的MOS晶体管是在二片有间距的半导体表面搭个桥,让这二块半导体表面实现相互导电。这个3-D在二块高耸的半导体之间的深沟里填入个坝,这个坝体的下,左,右,3面可导电,理论上可以增加3倍的电流量。当然现实里由于工艺的原因增加了1/3。

      我想这开辟了一个新的视野,就是今后的晶体管能够实现层层叠叠这么个概念。这个技术一旦实现那么这个世界的精彩程度就不可估量了。

      • 家园 送个通宝给你吧

        送花。注:送花、宝推可能得宝 关闭

        送花成功,可取消。有效送花赞扬。感谢:作者获得通宝一枚。

        参数变化,作者,声望:1;铢钱:16。你,乐善:1;铢钱:-1。本帖花:1

      • 家园 你说得是3D封装

        die level, wafer level的。

        现在前端搞这么一个3d finfet,已经让人欲仙欲死了,你还层层叠叠呢。咋整。

      • 家园 我觉得主要是第三维如果做得越窄

        主要电流在左右两边的壁上流,而在不通的时候leaky current就会越小,这样自然就节能了

      • 家园 谢谢解惑

        那么这项设计理论上的增长空间,是不是最高增加了3倍的处理能力?有没有可能更多?

        • 家园 这个3-D的意义在于开启了多层3-D构造的时代

          传统的晶体管是做在单晶硅表层,都是往下面造晶体管结构,地面上只有一些引线。一个表面撑死了就那么点儿地面。现在3-D用了外延,就等于是造楼了,这个意义就在于此。

    • 家园 节能一半以上,看来是很革命了。
    • 家园 恐怕是intel死马当活马医

      毕竟intel在手持这一块,硬件软件的努力都失败了,他不能不急。

      • 家园 不过这次调子出奇的高,是不是得有点真东西?

        看他的官方新闻稿,简直是几十年来未有的飞跃,手持、桌面等等一切计算应用通吃。这要是牛皮吹爆了……

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