主题：同学们，“半导体存储器导论课”第二课开始点名，分组讨论了， -- 老瑞
送花。
从工艺上来说，N型要方便，作active area 时P离子注入就是一道工序。另外，gate电极也是Poly-Si,也要注入P; 据说Poly-Si有4um深度，导电性没有太大的问题。
但只到九十年代早期为止，后来出现的连名字也没记住。
我估计要从最基本的能带说起，然后说FET管结构啥的。不然肯定一堆人看不懂。
另一个问题是，NAND和NOR型的CELL结构上似乎应该一样，但氧化层厚薄不同，由此带来连接方式的不同，构成了NAND和NOR。不知是否如此？
两位都有花！
支持“南越”老兄继续写下去，
这里没什么“老师”的，
有时候，自己的看法也不一定对的，或者是片面的，
把自己知道的写出来，给大家看看。
这里大家都是来自不同专业的，
你一言，我一语，
或许我们的认识可以有新的提高。
“西潜”老兄，您的雄文“晶体管发明简史”的铁牛扛了可是好一阵了哈
最新的更新还是2007年-7月-1号的，
俺一直等着您的更新啊---
看来老瑞师傅头一次讲课，看上去显得小心翼翼地，一会儿扯这个老师傅一会儿扯那个大作文，这些统统归到课外作业／课前预习不就得了嘛，到时候您可以先提几个问题，请同学回答，点名或自愿都可以的～～每次作业都留一点，要是被点名的同学没做，罚呗～～罚蒸命题包子一笼，哈哈这都替你想好了，可见我对课程开发有多内行～～
老瑞老师放心大胆地开讲吧，虽然这是开放式课堂，不过反正这里外行很多的，忽悠一小拨同学是没关系的
先通俗的给我们介绍一下，比如，半导体存储器是现代信息技术里面的关键，在这个层面上，对于它的应用领域展开一下多讲些。有点普及知识性质的那样，让不是这个专业的同学也能大体了解一下。在此基础上，再仔细讲解其原理。我想这样做同学们会容易理解些。
我记得当时我们学半导体，就是二极管，三极管。好像还有触发器什么的。
俺对信息技术比较感兴趣，也想听的更明白些。
谢瑞老师为我们授业解惑！
俺没系统学过，都是自己看书看来的，具体细节记不住了，写的也不知错不错。
而且都是老东西了，半导体存储器前传吧。
半导体存储器之前用的多的是磁环存储器，每个磁环是一位，需要人工穿线，我曾见过一块，象键盘的三分之二那么大，上面密密麻麻的全是小磁环和电线，大概也只有一两千个位吧。好象当年王安就是靠这个发财的，不过没几年就不行了。
在这之前不知道用什么，大概是用三极管焊吧，反正肯定不如磁环。
广义说来，一只只三极管焊的板子也应该算半导体存储器，不过现在一提到半导体存储器就只会想到集成电路，
最早的集成电路半导体存储器用的是单稳态电路，顾名思义这是不挥发性的，每个单稳态电路至少要有两只三极管，再加二极管、电阻，半导体集成电路中做二极管比三极管还麻烦一点，所以都是做成三极管再短路其中两极当二极管用，电阻也是用二极管代，因为在集成电路中做电阻更麻烦。（这是当时的技术，现在的不知道）再加上写入、读出电路，每个位就要有近十只三极管。那时的半导体存储器每片也就是几十到几百个字节，少的只有几个位。
后来每位用的管子越来越少（当然也不能用双稳态电路了），最后只用一只三极管或MOS管写入读出，存储用电容，再加上加工的精细，可以做出一片几百K的存储器，电容容量很小，储存的电子很容易跑掉，所以要不断的写入来保持所存储的内容，叫刷新。这刷新不是按位写入，只要在行线或列线上通一下电就行了，一下可以对许多位刷新，大概每一两毫秒就要刷新一次，这不需要软件，在硬件上就解决了。这种存储器叫挥发性的，这个名字起得很贴切。不挥发性的同个时代每片容量还是要低些。
上面说的是RAM，随机读写存储器，再就是ROM，只读存储器。
最早的半导体只读存储器是掩模式的，就是你先编好程序，交到半导体工厂，象做集成电路一样做出曝光胶片，再做成芯片。这个麻烦劲在现在是不可想象的，就跟做狗剩差不多。而且做好了就没法修改，其中有点小错大量的投资就挥发了。
为了摆脱工厂，有人就发明了熔断式ROM，里面每个位上有一个小熔断丝，也可能就是一只二极管，写入时用大电流烧断，当然烧断后就无法恢复，一次性写入无法修改。这叫EPROM，不用把程序送到工厂去了，写坏了也就一只芯片，保密性也大大增强。
但是写坏了就扔掉也不好啊，大大地不绿色。于是又有人发明了可擦除的ROM，叫EEPROM，大概写和擦英文字头是同一个字母吧？这种ROM里面（以下不知对不对）用什么（好象是硅？）氧化膜包上一小块，写入时用高电压冲破势垒（？）送进些电子，因为这种氧化膜绝缘很好，电子能保存很长时间（几十？几百？几千年？），数据也就能保存很长时间，是非挥发性的（废话，ROM还有挥发性的？）。擦除的时候要用紫外线照，把里面保存的电子晒干？这种存储器上面都有一个玻璃窗口，现在还可以见到应用。
紫外线晒还是不太方便，能不能在衣服穿在身上就弄干？也就是不用拔下来，在电路中就直接重写？这就引出了电擦除ROM，现在的flash（没写错吧）应该也是电擦除的。不过这部分及以后都是俺爱学习的劲头挥发以后出现的新事物，只能等大牛们了，等着上新课。
欢迎挑错。下课。
固化的只读存储器没错，就是ROM
可编程的只读存储器是PROM(Programmable Read-Only Memory)
可擦除可编程的只读存储器是EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory)，就是芯片上有一个石英玻璃窗口的那种，需要用紫外线擦除。
电可擦除可编程的只读存储器才是EEPROM(或叫E2PROM),是Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory的所写。使用比较高的电压完成擦除数据操作（常用12V，与之对比的是5V的使用电压）。有些EEPROM不需要使用12V电源进行擦除，其实大多是芯片内部带有DC-DC的升压电路，外面是5V，内部还是使用比较高的电压操作的。
紫外擦除和电擦除通常都是通过“浮置栅”的原理，就是在构成存储器的场效应三极管的栅极和隧道之间做一个“浮置栅”。通过在“浮置栅”上存放或清除电子，达到写入／删除功能。
如果出书再改。
不过俺真的考虑过自费出书，升级时可能有用。
等过一阵子会继续，不过也许不再是翻译的形式。
ＴＯＳＨＩＢＡ最新的量产应该是５６ＮＭ，ＳＡＭＳＵＮＧ好象是５２ＮＭ，ＭＩＣＲＯＮ是５０ＮＭ。
ＴＯＳＨＩＢＡ公布的最新计划是４５ＮＭ，ＳＡＭＳＵＮＧ公布的是３６ＮＭ，但是都没有ＥＮＧＲ ＳＡＭＰＬＥ。
ＮＡＮＤ目前可以说是ＬＩＴＨＯ最强大的推动力了。