主题：【原创】flash和硬盘比较与展望 -- spinfox
请赐教一二?
flash 与MRAM或是FRAM在微结构上是没有多少区别的，都是FET,只是flash是MOS, FRAM是铁电体的gate,而
MRAM更是引入了TMR，读写速度是MRAM最快。
ns级？是Spin-RAM吧？
这位老兄好像不知道spin-RAM 也是MRAM的一种， 只不过用极化电流(spin current)而不是奥斯特场(magnetic field)来直接翻转记忆层(magnetic free layer)。在某些场合下，此种方法可达ps级.最新结果已在2005 MMM conference展示.一般来讲全文会在2006五月左右发表.有关MRAM的故事请参照我今天刚发的文章， 其中有提到过极化电流(spin current)的MRAM。如果大家有兴趣，我可以再写一些
通过一些交流，已经得知SONY肯定拿到了ns级的OUM， 但是由於一些原因，这些结果不可以发表。另外好心提醒这位老兄一句，公司决无可能公布最新结果。它秀出的都是不会对自己产生威胁的结果。当然STARTUP 公司除外。
由于性能的飞跃，业界已将两者分开叫了。
至于OUM速度在1ns以下能否实用我很怀疑，从物理原理来看维持这个速度的集成度和连续稳定性就上不去。
“flash 有致命缺点，就是破坏性读取(DESTRUCTIVE READING)”
据我所知，flash不管是NOR还是NAND型，读取都不是破坏性的。也就是读后不用刷新。读取是破坏性的是铁电RAM(1T1C type)。
flash现在的问题是不能继续scaling down. 如果像晶体管一样缩小，它的遂穿氧化硅就不能保证10年的数据存储。这里遂穿介电质的可靠性是一个大问题。
intel和micron刚合资建新厂做NAND type flash。看来flash在近十年内还不会过时。
请继续，看来河里做Memory相关的人还是很多的，
这个话题很有意思，