五千年(敝帚自珍)

主题:【讨论】Intel宣布芯片制造技术重大突破 -- forsake

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家园 意义大小看你怎么吹

10年前IEDM上的hot topic是铜导线、金属栅极和3d mos,前两个早就用上了。对于MOS来说,Id∝W/L,L的大小就是大家一般所说的每代技术多少nm。按原来的工艺,缩小L的时候W也会小,所以最近这些年漏电流是在减小的(因为还是其他因素影响),这就导致通断电流比下降,对于系统节能是不利的。这个Tri-gate实际上是增大了W,跟DRAM里靠挖洞来增大电容是一个原理。

另外这个节能是制造工艺进步导致是物理层面上的,ARM的节能是靠电路设计上的取舍做到的。两者不是一回事。Intel一向是工艺最强,电路优化上有时还不如AMD。


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