那这么说来，咱们早就是同学啦，
您也多写您的文字，读起来很亲切的说，
花！
能否将半导体存储器件分类的这部分重新组织一下，
另外配几个示意图。
像是DRAM的1T1C结构的之类的，没有图的话，可能很多人看的迷迷糊糊的。
因为，我发现咱们班同学很多都是对这个课题有兴趣，但本职工作与半导体行业差的挺远的。
这篇短文充实一点内容，配几个图，
做为咱们课程的
【第二课】 半导体存储器的分类(V1.0)，主讲老师：南越
咱们这个班里就是互动讨论式的，每个人都可以做老师的，
把自己知道的讲出来，跟大家讨论讨论，
学到的东西应该更多。
期待您的第二课早日开课！
报告老师，呢一个字都没看懂。
咋办？
那只好打PP了，
“老班长”那，“班法”伺候，
再给大家一个示意图，看看DRAM的一个cell的断面。
看上去象是填充poly-Si的deep trench.
LSI生产设计上那个capacitor就是用poly-Si作电容的一极与隔着一层氧化物或氮化物层的周围基板Si形成电容。
n? p?
p-substrate的话?猜的,要南越老大回答.
n/p都可以。但是这么深的poly-Si，不太容易掺杂啊。
送花。
从工艺上来说，N型要方便，作active area 时P离子注入就是一道工序。另外，gate电极也是Poly-Si,也要注入P; 据说Poly-Si有4um深度，导电性没有太大的问题。
只旁听，不报道，没有学分的啊，
欢迎参加，只是这个题目好像跟老兄的专业偏的好远啊，
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