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主题:夏普搞清了RRAM的机理,将在2010投产 -- 千僧

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  • 家园 夏普搞清了RRAM的机理,将在2010投产

    2002年夏普发表RRAM并注册了RRAM商标,最近在日本的国家研究机构:产业技术综合研究所的协助下搞清了RRAM的机理,2006年12月11日在

    IEDM(International Electron Devices Meeting)发表。

    现在没时间译,懂日文的看夏普RRAM

    以后PC将不带内装硬盘了。

    • 家园 嗯,有空去翻翻那张IEDM的盘

      老兄去参加今年的IEDM了?

    • 家园 RRAM也只是闪存的一种

      现在的闪存由于gate的那约1纳米的氧化物层漏电问题而难以永久保存信号,而用纳米金属粒子或TMR的技术来做闪存的信号层有优势,如这一层的制备方法又可以是sputtering,那就可和CPU的制造工艺吻合,从而可以生产带内存的CPU啦。

      • 家园 RRAM怎么会是闪存的1种?

        闪存是EEPROM过来的,靠gate有无电子来判定0/1,氧化膜起绝缘作用,反复改写到漏电就得被抛弃,使用次数万次左右。

        RRAM是利用氧化膜的阻抗变化来判定0/1,不在乎漏电,至少目前还没有反复读写后失效的报告,所以我认为日后RRAM是取代PC的内藏硬盘的热门。

        关键词(Tags): #RRAM
        • 家园 任何一种存储器件理论上都存在失效机理

          从理论上说(虽然机理仍存在较大争议),任何一种存储器件都存在失效机理.

          但是最近的一波研究热潮过后(从2000年起),相信,几个研究组大致都有了自己的想法.

          RRAM的读写也是具有一定次数的,但是对各个材料来说,这个次数不同,相信跟制备工艺关系很大.

          另:RRAM归到闪存好像不太合适,多数情况下,是跟相变存储器规为一类的.

          存储器的发展,现在几种类型的在竞争.

        • 家园 怎么说呢

          和闪存一样,要有Control gate,闪存有CG 和FG, RRAM只能是作微结构中的FG层。

    • 家园 呵呵,难怪这段时间硬盘跌得厉害!
    • 家园 AIST这个牛吹得还嫌太早啊

      老兄的这个新闻贴的好,今年的IEDM(International Electron Devices Meeting)还在举行中,会议中,会有几个不同的单位对RRAM的机理做报告,理论界,对其机理也还存在争论啊.AIST(产业技术综合研究所)只是其中的一个研究单位,其结论未必能得到业界的公认.呵呵,先说这个.

      关键词(Tags): #RRAM
      • 家园 很想知道其他几家怎么说

        机理还真复杂,也挺有趣。

        • 家园 兄台此言甚善

          兄台此言甚善啊,机理现在还真是各说各的,莫衷一是.

          说起来,几个大国也都投了钱再搞,鹿死谁手,尚未可知啊.

          兄台自然是行家里手,对此莫非甚感兴趣?

          关键词(Tags): #机理
          • 家园 我不是干这一行的,

            但对此很有兴趣,等IEDM的文集出来了再好好看看。

            • 家园 兄台客气了

              看了兄台以及无所事事兄的评论,虽寥寥数句,却已抓住此项要害,真所谓,行家伸伸手,便知有没有啊,有机会多向此处的几位高人请教啊

    • 家园 IBM好像也在开发类似产品

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      外链图片需谨慎,可能会被源头改

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      • 家园 仔细看了一下,不一样,夏普的要简单得多,耗能也低得多

        但从原理推测,夏普新发现的机理的维持的时间可能有限度(缓慢挥发),

        断电前或定期对重写过的地方需要做一次确定写入。

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