主题：夏普搞清了RRAM的机理，将在2010投产 -- 千僧

比如算法的改进,新定理的证明......

花了脑力!=知识产权

不能在专利有效期内做出商品卖出去，还不如不申请。

有那个自信的话，专利事务所多如牛毛，人家干专利的专家是有眼力的，不要你花钱和太多精力，只要分专利权的N%就可以了。发生侵权也是专利事务所帮你打官司,赔款可能人家要分2N%.

其实,好几家都已经申请专利了,

机理方面的专利,小弟也是很困惑,这个怎么得到保护啊?

而且,这方面,也已经有很多文章可以查得到了啊

是公开出版的文章啊

可以花钱从专利局买资料，偷偷使用被发现罚起来可厉害了。

比如夏普最早发现阻抗变化这一项就申请了专利和RRAM商标（这是无期限的），

而且这个专利还在修改之中，这次的发表是这个专利的扩充，一直要到投产这个专利才会FIX。

而同样是夏普，在做液晶电视时制造工艺一概不申请专利，结果专门靠抄袭别人技术的松下只好改抄富士通的等离子屏技术，使最早生产出PDP的富士通竞争不过只好把这个部门卖掉。

兄台分析的好啊,但是小弟还有几件事情不明,

1.专利应该没有无限期保护的吧?商标可能是有的

2.这几个大公司申请的专利书,里面申请要保护的东东太多了,有些估计他们也没做,也没实验,就是自己觉得可能性,也写到要保护的内容里面去了,专利也可以保护这种行为吗?

3.米国专利局好像还有一种是叫"published"的专利,跟正式issued的专利好像还有区别啊

请兄台有空时给小弟指点迷津啊

小弟先去看看怎么献花,准备上贡啦

有的时候是这样,小弟看到很多教授这样做,先申请专利,专利递上去大概6-9个月以后,再投文章,不知这样做,对其专利以及文章的影响若何啊?

那位仁兄来解个惑,

定花之

我楼上说的RRAM商标是无期限的。

在美国2000年以前申请的专利允许在登录前不予公开，申请后一段年限处于可以追加修改，这是比较无赖的，在日本叫潜水艇特许（＝专利）不予承认，日本从申请开始1年半就要公开的。

其实申请者自己也不知道某个写入专利的发展方向是否有前途，结果别人做出结果了，他也接着去做出来修正专利算是他的，然后要赔款。

美国目前还是先发明主义，即论文先发表的优先，抢着申请无效。不过因为诉讼麻烦太大，正在讨论修改。

日本和欧洲各国都是先申请的优先，明年要讨论缔结关于专利的新条约。

其他的我也不熟。

现在的闪存由于gate的那约1纳米的氧化物层漏电问题而难以永久保存信号，而用纳米金属粒子或TMR的技术来做闪存的信号层有优势，如这一层的制备方法又可以是sputtering,那就可和CPU的制造工艺吻合，从而可以生产带内存的CPU啦。

闪存是EEPROM过来的，靠gate有无电子来判定0/1，氧化膜起绝缘作用，反复改写到漏电就得被抛弃，使用次数万次左右。

RRAM是利用氧化膜的阻抗变化来判定0/1，不在乎漏电，至少目前还没有反复读写后失效的报告，所以我认为日后RRAM是取代PC的内藏硬盘的热门。

看了,兄台的分析,小弟有些明白了

小声问一下:啥叫"登录"啊?

来自"在美国2000年以前申请的专利允许在登录前不予公开"

小弟还看到过,某些公司申请的世界专利,是不是世界专利全世界都自动保护啊?

例如:美国专利在中国是不是也可以得到保护啊?

日本的专利,小弟看的少,主要是看不懂日文,

欧洲专利,美国专利,世界专利看过几篇的

和闪存一样，要有Control gate,闪存有CG 和FG, RRAM只能是作微结构中的FG层。

从理论上说(虽然机理仍存在较大争议),任何一种存储器件都存在失效机理.

但是最近的一波研究热潮过后(从2000年起),相信,几个研究组大致都有了自己的想法.

RRAM的读写也是具有一定次数的,但是对各个材料来说,这个次数不同,相信跟制备工艺关系很大.

另:RRAM归到闪存好像不太合适,多数情况下,是跟相变存储器规为一类的.

存储器的发展,现在几种类型的在竞争.

经常看到商品上注明已申请专利，这是还未赋予专利号，未正式登录的意思，否则就是直接标明专利号。

日本可以在申请后1年半内完备资料，途中的内容对特许厅(中国叫专利局)公开，对外不公开，外界只能看到概要，到1年半后不论是否完善都要公开。

现在是网络时代，在一国登录的专利其他国也能查到。日本明年和欧洲专利局的41国签订条约，以后在这42个国家之一申请国际专利，并获得批准，在42国都有效，美国目前还是发明优先主义不在其内。

在参加《专利合作条约》的一国申请国际专利，等同于在所有参加国递交了申请，但是还要经过各国专利局的批准才有效。

在美国申请了国际专利还要递交中文版由中国专利局审核批准才能在中国得到保护。

老兄去参加今年的IEDM了?