主题：【讨论】发到河里来，让大家看一下这个才叫好帖 -- 狙个梨子

1996年朗讯与美国国家三大实验室合作，造出了栅极长度75nm至180nm的N型MOS晶体管，其栅极长度是由EUV光刻技术确定的。

啥意思呢？就是说用EUV可以干活，并超越当时的DUV最佳制程250nm。这是一个实验室产品。能不能商业化，朗讯自己都没信心，后来又去搞0.004nm 的EBDW或EPL去了，连着把尼康、IBM也坑了。

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1997年英特尔看到了DUV跨越193nm的巨大难度，说服克林顿政府，与美国能源部一起牵头，发起了EUV llc联盟，集合了当时还很牛逼的摩托罗拉、现在也很牛逼的AMD，美国三大国家实验室——劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室以及桑迪亚国家实验室，从理论上验证EUV可能存在的各种问题。

联盟在1997年至2003年，发表了几百篇论论证了EUV的商业可行性，注册了大量专利。

ASML是在1999年加入的，到联盟解散的时候，193nm已经取得突破，与台积电已经做到90nm。

此时对于，ASML来说，EUV继续干还是不干？又干了近10年才拿出样机，为的就是干死尼康，独霸全球。

ASML光每年研发就要投入10亿欧元，不得不拉入英特尔、三星、台积电防范风险。

1998年的报道，一台EUV机子只卖1400万美元，显然估计严重错误。