主题：【原创】中微半导体45纳米蚀刻机 -- 可梦之

还是写中文，掩模，哈哈

不能忽略IBM，尤其是在研究方向上很强。而且他不仅仅有硅片的MOS生产线，还有其他工艺的，基于锗的chip等等。很多用在军方有很多应用。美国不会这一块不会放弃的。

欧洲现在是意法半导体。日本和和韩国memory比较强，但是cpu不行。当初intel也是做memory做不过日本才专心做cpu。sony的处理器用的是ibm的。

中国顶尖的fab厂当然在台湾了。tsmc还是很强的。大陆世纪初曾经兴起过芯片热，上海，北京，成都，西安等很多城市都想做生产基地。但是做得不错的也就是上海的张江。

下一代的EUV光刻系统至今问题多多，无法投入生产。intel的22nm技术将仍然使用现在的193nm光刻技术。也许16nm的时候，能够用EUV，但是16nm的FET能不能做得出来，估计是够呛了。

这两天刚开了一家 global foundry （AMD foundry company)，要上32nm。

intel在大连也上了一条生产线，原来计划是65nm，有消息说给改32nm了。估计有可能。因为上海的中芯国际都做45nm了，intel再上65nm线，毫无意义。

把fab这块划出去。你说的基于锗的chip是不对的。IBM搞得是锗硅，实际还是硅工艺。本世纪初，IBM的锗硅三极管吸引了不少眼球，不过最终的工业主流还是RF CMOS。

IBM的fab肯定会有军方的项目，但对IBM fab来说，估计不会占太大比重。我知道nsc是接军方活比较多的。

还有一点要说的，fab不是军事基地。你要在IBM的微电子部门，intel, nsc这些地方弄个相关的工作许可，到生产线去逛逛貌似不难。

MOS肯定是占据绝大部分市场。但是有些军方需要高频之类的还是要IBM做的。占多大比重不清楚了。IBM做的东西很多，广度远远超过intel。

Fab不是军事基地，但是据我所知控制的还是很严格的。进去参观一下可能有可能，但是华人想去核心的地方工作是不太可能的。

其实现在45纳米的工艺对大陆还是禁运的吧。我师姐在sun作毕业实习，公司的lawyer就说因为师姐是华人，不能接触底层工艺的参数。90纳米的不清楚，但是45纳米的肯定不行。不知道是TSMC的规定，还是美国法律的原因。

总之还是要做出自己的来，否则处处受制于人。

公司给你申请相关的license就可以。军品可能严一点，民用的很容易拿。intel, ibm，里面的从litho到process integration,到device design，哪里看不到中国人（中国国籍）。

45nm也没啥禁运。中芯国际的45nm工艺不就是ibm授权的么。

我刚才查了一下，AMD是有自己的生产线的。

我因为不是作底层的。所以也就是平时听朋友聊聊。错误是难免的。

多谢纠正。

不过我听过一个报告，研究intel同一系列的芯片，设计是相同的，但是后来的性能和功耗都有很大的提高。一个重要的原因就是fab优化参数的结果。

但是师姐找工作的时候导师的确提过这件事，说她因为是华人，找电路设计的工作是有些麻烦的。

不过肯定应该越往后越开放。

device design/process integration就是干这个的。想办法给你把performance提上去，leakage降下来。做电路的只要model。model的参数从device design来。

一般搞民品开发都没啥问题。我朋友有去design house的，也有去fab的。都没问题。

不知道是不是因为sun是做高性能服务器的，要求比较严格。sun很多项目是军方出了不少钱的。

我有个朋友最近在上海搞半导体行业的调研。他刚去过中微。据他讲，中微的经营业绩并不是很好，感觉像是在苦苦支撑。而且好像就是制成设备这块没有什么突破。不过朋友也没有什么半导体专业背景知识。

看了一下新闻，好像说得也不是很肯定，只是试用而已。

光刻大概是processing最基本的。要是换了别的，几乎整个processing都要重搞了。